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山西创芯光电请求超晶格红外焦平面探测器制备办法及其下电极制造设备专利处理选用电子束蒸发办法制备的红外探测器焦平面下电极爬坡作用差的问题

时间: 2024-12-17 21:22:59 |   作者: 8亿彩票官方下载安卓

  

山西创芯光电请求超晶格红外焦平面探测器制备办法及其下电极制造设备专利处理选用电子束蒸发办法制备的红外探测器焦平面下电极爬坡作用差的问题

  金融界2024年12月11日音讯,国家知识产权局信息数据显现,山西创芯光电科技有限公司请求一项名为“超晶格红外焦平面探测器制备办法及其下电极制造设备”的专利,公开号 CN 119101870 A,请求日期为2024年11月。

  专利摘要显现,本发明供给了一种超晶格红外焦平面探测器制备办法及其下电极制造设备,归于超晶格红外探测器制备技术领域;处理了选用电子束蒸发办法制备的红外探测器焦平面下电极爬坡作用差的问题;包含放置在电子束蒸发台内的晶圆载盘、晶圆夹具和蒸发源坩埚,所述晶圆夹具包含渠道和立杆,所述渠道的一端与晶圆载盘滚动衔接,使得渠道与晶圆载盘之间的夹角可调,所述渠道的另一端经过立杆与晶圆载盘相连,所述立杆垂直于晶圆载盘;渠道的外表面上用于放置不一样的尺度的晶圆;晶圆载盘的下方放置有蒸发源坩埚,经过蒸发源坩埚将电子束源蒸气堆积至晶圆外表;本发明应用于红外探测器制备。